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光耦仿真器使用 TI 基于 SiO2 的隔离栅来实现信号隔离，可以避免这两个常见的光耦合器问题。图 2 展示了光耦仿真器的内部结构，其中发送和接收电路模拟了传统光耦合器的功能行为，同时 SiO2 提供了高压隔离。
更低的功耗。传统的光耦合器需要预先进行超裕度设计，以帮助补偿 LED 不可避免的老化效应，因此需要在设计的整个寿命期间提供额外的正向电流 (IF)。TI 的光耦仿真器具有超低的 IF 和电源电流，能够帮助您节省高达 80% 的功率预算。
更高的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。数字光耦合器的 CMTI 通常约为 15kV/µs，而 ISOM8710 的最小 CMTI 为 125kV/µs，因此可以在具有超高共模开关噪声或高振铃噪声的应用中使用。
稳定且精确的电流传输比 (CTR)。不必再为获得更精确的 CTR 范围而支付额外费用。ISOM8110 等 TI 光耦仿真器标配各种在温度范围内保持稳定的精确 CTR 范围。
高数据速率。典型的高速光耦合器支持 1Mbps 至 10Mbps 的数据速率，而 ISOM8710 支持 25Mbps 的数据速率。这种支持能够实现更高的吞吐量，使光耦仿真器能够在各种高速应用中使用。
带宽。ISOM8110 支持 680kHz 的高带宽，因此能够缩小必要磁性元件（电感器和变压器）的尺寸。高带宽有助于改善次级侧调节反激式转换器的瞬态响应。而由于瞬态响应得到改善，因此可以缩小输出电容器的尺寸，从而释放布板空间并降低整体系统成本，尤其是在高开关频率的氮化镓设计中。
宽温度范围。光耦合器支持的温度范围通常为 0°C 至 +85°C。虽然有些光耦合器支持更宽的温度范围，但这一特性会增加额外的成本。TI 的光耦仿真器标配支持 –55°C 至 +125°C 的宽工作温度范围，并且在 2024 年将提供更多符合汽车标准的器件。
可靠隔离。光耦仿真器具有更高的高压性能，因此非常适合需要可靠隔离的应用。TI 的光耦仿真器采用 SiO2 来实现绝缘栅，可提供 500V/µm 的隔离能力，这远远超过市场上许多光耦合器中使用的空气介质 (1V/µm)。
结语 光耦仿真器代表着信号隔离技术的重大进步，它将熟悉的光耦合器功能与 SiO2 隔离技术的优势融为一体。借助这些器件，您能够满足现代系统的需求，确保性能、可靠性和安全性得到增强。通过充分利用光耦仿真器，您可以优化设计，迎接隔离技术的新时代。
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