ILN2003ADT达林顿晶体管 IKSemi代理

时间：2019-01-17 来源：本站点击：1267次

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ILN2003ADT替代ULN2003ADR (TI)

ILN2003ADT替代ULN2003AFWG (东芝)

ILN2003ADT替代ULN2003D1013TR (ST)

该电路的特点如下：

ILN2003ADT的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路

直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

ILN2003ADT工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受50V 的电压，输出还

可以在高负载电流并行运行。

ILN2003ADT采用DIP—16 或SOP—16 塑料封装。

ILN2003AN DIP16.jpg ILN2003AD SOP16.jpg

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