0755-83254341
SJMN60R15F N沟道超结MOSFET
特征
•漏源电压：VDS = 650V（@ TJ =150C）
•低漏源导通电阻：RDS（on）=0.12Ω（典型值）
•超低栅极电荷：Qg = 62nC（典型值）
•符合RoHS的设备
•经过100％雪崩测试
标记信息
第1栏：制造商
专栏2：生产信息
例如）◎△YMDD
- ◎△：工厂管理规范
- YMDD：日期代码（年，月，日）
第3列：设备代码
—深圳市触控科技有限公司
绝对最大额定值
栅极电荷测试电路和波形
电阻开关测试电路和波形
包装外形尺寸
—深圳市触控科技有限公司
下一篇：SMK0760F
0755-83254341
Copyright © 2017 深圳市触控科技有限公司版权所有 All Right Reserved 粤ICP备17122035号-1
触控科技专注触控芯片
