SMK0760F

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产品详情

SMK0760F

Advanced N-Ch Power MOSFET

特征
高电压：BVDSS = 600V（最小）
低Crss：Crss = 9.7pF（Typ。）
低栅极电荷：Qg = 23nC（Typ。）
低RDS（on）：RDS（on）=1.2Ω（最大）

SMK1820F 1.jpg

Marking Diagram

SMK0760F标志信息.jpg
第1栏：制造商
专栏2：生产信息
例如）GFYMDD
- G：选项代码（H：无卤素）
- F：工厂管理代码
- YMDD：日期代码（年，月，日）
第3栏：设备代码

绝对最大额定值

栅极电荷测试电路和波形

电阻开关测试电路和波形

——深圳市触控科技有限公司

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